Фазовый детектор на встречно-включенных диодах

 

Фазовый детектор на встречно-включенных диодах
 

 

к.т.н., доцент Петров Евгений Федорович

к.т.н. РОЗОВ Андрей Валентинович

 

Рассматриваются как теоретические вопросы, так и практические

аспекты схемотехники фазовых детекторов на встречно-включенных диодах.

 

 

 

                                 

 

I.   Принцип работы фазового детектора.

 

     Принципиальная схема фазового детектора приведена на рис.1.  Как видно из рис.1, к двум встречно-включенным диодам VD1 и VD2 подводится напряжение сигнала Uс=Umccosωct  и напряжение опорного сигнала Uo=Umocosωot. При этом частота опорного сигнала, во-первых,  ровно в два раза меньше частоты входного сигнала, т.е. ωo=0,5ωc и, во-вторых, сфазирована с ним.

рисунок

     Нагрузкой фазового детектора служит фильтр нижних частот, волновое сопротивление которого равно Rф.

     Амплитуда опорного напряжения значительно больше напряжения сигнала Umo>>Umc, и выбирается такой величины, чтобы перекрывался весь нелинейный участок вольт-амперной характеристики диода. Таким образом, диоды выполняют роль электронных ключей, которые открываются под действием сильного сигнала опорной частоты и в эти моменты через диоды проходят импульсы тока частоты сигнала. Длительность импульсов этого тока определяется углом отсечки опорного напряжения.

     Принцип работы такого детектора поясняется графиками рис.2. На рис. 2а напряжение опорной частоты и частоты сигнала находятся в противофазе. Когда напряжение опорного сигнала превышает напряжение отсечки, соответствующий диод открывается и через него протекает импульс тока сигнальной частоты. Как видно из рис.2а длительность протекания тока определяется углом отсечки опорного напряжения, период импульсов равен периоду напряжения сигнала. Функция. описывающая форму импульсов тока, является нечетной функцией, поэтому постоянная составляющая тока равна нулю, т.е. на выходе фильтра нижних частот напряжение равно нулю.

рисунок

    На рис.2б  и 2в показаны варианты, когда сигналы сфазированы, причем  рис.2б иллюстрирует вариант, при котором разность фаз ΔΦ=π/2, а рис.2в - когда ΔΦ=-π/2. Из данных рисунков видно, что  в этих случаях импульсы тока описываются четными функциями и на выходе фильтра нижних частот будут максимальными по напряжению и противоположными по знаку. Таким образом выходное напряжение фазового детектора пропорционально  синусу разности напряжений фазоопорной  и сигнальной частоты Uвых=sinΔΦ.

рисунок

рисунок

II.   Характеристики диодов.

     Вольт-амперная характеристика реального полупроводникового диода приведена на рис.3, а на рис. 4 показаны его эквивалентные схемы в прямом и обратном включении.

       рисунок

рисунок

 

 Элементами эквивалентных схем являются:

    rд - дифференциальное сопротивление p-n перехода;

    Cдиф - дифференциальная емкость p-n перехода;

    Cб - барьерная емкость перехода;

    Cк - емкость корпуса;

    rб - сопротивление базы;

    Rут - сопротивление утечки.

     На частотах ω<<1/τpp - время жизни неосновных носителей в области базы) и при большом прямом смещении параметры диода определяются исходя из следующих выражений:

формула

       

 

         (1)

         

 

 

 

где k - постоянная Больцмана, T - температура по Кельвину, q - заряд электрона, m - коэффициент равный 1 для германиевых приборов и 0,38...0,9 - для кремниевых, Iд - ток диода.

     Так как диоды включены встречно-параллельно, то пренебрегая влиянием сопротивления утечки (Rут>>rд+rб) эквивалентная схема каждого диода в открытом состоянии дополняется паразитной емкостью Cп=Cб+Cк, равной сумме барьерной емкости и емкости корпуса параллельного закрытого диода (рис.5).

рисунок

     Полное комплексное сопротивление диода в открытом состоянии равно

формула

           

 

 

              (2)

 

 

 

 где

 формула

     Как видно из (2) на высоких частотах следует выбирать диод с минимальной емкостью в закрытом состоянии и минимальной корпусной емкостью. В противном случае из-за шунтирования перехода паразитной емкостью  уменьшается крутизна детекторной характеристики. Т.е.

                  формула

  На частотах  формула

 

, тогда

 

формула

 

     а на более низких частотах  

 

формула

 

    Дифференциальное сопротивление диода зависит от приложенного напряжения и уменьшается с его ростом\. поэтому при малых величинах тока диода сопротивление его на частоте    ωд    в основном определяется rд. При больших токах диода величина rд уменьшается и возрастает влияние rб, т.е. rдrб при Uвх→∞.

     Ток диода с учетом сопротивления базы описывается следующим уравнением:

 

формула

   

 откуда крутизна детекторной характеристики:

 формула

 

, где

 

формула

                                                               

        (3)

 

 

     Из (3) видно, что максимальное значение крутизны диодной характеристики ограничивается величиной rб.

       формула

     Зависимость крутизны от напряжения опорного сигнала приведена на рис.6.

рисунок

     U1 - максимальное значение амплитуды опорного сигнала,

     Uпор - пороговое значение амплитуды сигнала, соответствующее отсечке тока диода. Отсюда ясно, что для повышения коэффициента передачи фазового детектора необходимо выбирать диод с минимальным значением сопротивления базы.

 

III. Анализ работы фазового детектора.

 

     1. При отсутствии напряжения сигнала.

     Учитывая большой уровень опорного сигнала, представим диодную характеристику линейно-ломаной. Тогда характеристика двух встречно включенных диодов представлена на рис.7, где приведены также диаграммы токов и напряжений.

рисунок

     В первом приближении полагаем, что характеристики двух диодов идентичны, т.е. Uпор1=Uпор2=Uпор (Ө12=Ө).

    Импульсы тока в каждом диоде являются четной функцией времени и имеют период T=1, поэтому могут быть разложены в ряд Фурье

                формула  

                     

  (4)

 

Коэффициенты ряда Фурье разложения тока, протекающего через первый диод, равны:

 

формула

 

(5)

 

 

где

    формула

 формула

   формула

     Импульсы тока второго диода  сдвинуты на полпериода относительно импульсов тока первого диода, т.е. на π. Тогда, используя выражение (5), коэффициенты ряда Фурье разложения тока второго диода:

формула

     Таким образом, при условии идентичности параметров диодов четные гармоники диодов противофазны и в суммарном токе отсутствуют. Нечетные гармоники находятся в фазе и амплитуды их суммируются. Так как частота опорного сигнала в два раза меньше частоты сигнала, то ток на частоте сигнала отсутствует. Таким образом, при отсутствии полезного сигнала входное сопротивление детектора определяется суммарной барьерной емкостью двух диодов. Сопротивление детектора на частоте опорного сигнала равно

формула

 

 (6)

 

 Минимальное значение входного сопротивления детектора для источника опорного напряжения равно:

формула

 

(7)

 

   2. При наличии напряжения сигнала.

  Как видно из диаграмм рис.2 при наличии напряжения сигнала Uс на входе детектора импульсы тока с сигнальной частотой находятся в фазе, и длительность этих импульсов равна 2Ө, т.е. определяется углом отсечки опорного напряжения, рис.8.

рисунок

     Так как функция, описывающая форму импульсов тока  является четной функцией, то ток можно разложить в ряд Фурье по косинусным составляющим

формула

     Напряжение на выходе низкочастотного  фильтра пропорционально постоянной составляющей тока детектора. Ток детектора состоит из усеченных частей косинусоиды, причем угол отсечки сигнального напряжения определяется из соотношения:

формула

  откуда угол отсечки

  формула

  Ток   является периодической функцией и в пределах угла 2Ө описывается уравнением:

формула

   Постоянная (низкочастотная) составляющая тока

формула

 

 

     (8)

 

 Первая гармоника

формула

 

(9)

 

 

     Так как выходное напряжение фильтра

формула, то

 

  формула

  Коэффициент передачи детектора равен

 формула

  Тогда

 формула

 

               (10)

            

 

 

 

Входное сопротивление детектора на сигнальной частоте

 

формула

 

           (11)

 

    Крутизна диодной характеристики при заданном уровне опорного сигнала определяется путем линеаризации реальной характеристики крутизны диода линейно-ломанной аппроксимацией рис.9.

     Из рис. 9  видно, что

формула

 

  (12)

 

 тогда разлагая крутизну S(t) в ряд Фурье по косинусным составляющим и определив первую гармонику, находим

формула

 

 

 

     Максимальное значение крутизны равно

  формула

  

 (13)

 

  тогда

формула

 

 

 

    При дальнейшем увеличении амплитуды опорного напряжения крутизна диодной характеристики на частоте сигнала растет весьма слабо, а входное сопротивление фазового детектора падает сильнее. Это объясняется тем, что при увеличении Umo форма импульса S(t) вначале приобретает уплощенный характер, а затем трапецеидальный вид, т.е. появляется отсечка верхней части импульса S(t).

 

     Продолжение

В продолжении следующий материал:

- выбор типа и параметров фильтров нижней частоты

- расчет требуемого подавления опорного сигнала

- результаты экспериментальных исследований фазовых детекторов на встречно-включенных диодах

- варианты практического применения фазовых детекторов на встречно-включенных диодах в СВЧ устройствах

Web-ring: электроника, электронные компоненты и приборы

randprevnext

Rambler's Top100

Рейтинг@Mail.ru